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序号
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设备名称
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性能
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用途
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1
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UREL－2000B
深紫外(365nm)
光刻机
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光刻分辨率：1μm
套刻精度：0.3μm
线条陡度：83度
线条高宽比：> 20 : 1
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电子、微光学、微机械系统、红外器件、准LIGA及声波表面器件等的深层光刻
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2
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KYKY-AMRAY1000B
扫描电子显微镜（SEM）
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二次电子像分辨率60埃12mm工作距离时放大倍数从15倍到25000倍
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微观表面形貌观测，半导体P-N结内部缺陷观测
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3
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QUESANT原子力
显微镜(AFM)
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纵向分辨率：0.1 nm
横向分辨率：0.2nm
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微观表面形貌测量
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4
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电子束曝光制版机(EBL)
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最小线宽：1μm
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集成电路掩模版加工，微细图形加工
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5
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Leica光学显微镜
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放大倍数：1600倍
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微结构、粒子组分以及表面形貌的定量和定性分析
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7
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DZ2672A交、直流
耐压测试仪
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测试电压AC/DC：0-5kV±3%
漏电流AC：0-20mA±3%
DC：0-10mA±3%
分辨率：0.1mA
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微量痕量样品电泳检测
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8
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KW－Ⅲ型匀胶机
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Ⅰ档转速：500－2500转/分
Ⅰ档匀胶时间：2－18秒
Ⅱ档转速：1000－8000转/分
Ⅱ档匀胶时间：3－60秒
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Φ5至Φ100mm及其他材料等的匀胶
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9
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DKP290型等离子体刻蚀设备
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反应室尺寸：Φ344×105
上下电极直径：Φ290
反应室极限真空度：>10×10-3托
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表面钝化PECVD氮化硅膜、多晶硅、铬氧化铬、二氧化硅、铝的刻蚀
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10
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阻抗分析仪PV50A
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测量范围：100Hz－100KHz
测量精度：0.5％
测量速度：720点/ms
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压电陶瓷的性能参数分析和评估，可测量压电陶瓷的谐振频率、反谐振频率、静态电容、动态阻抗、机械品质因素、机电耦合系数、导纳圆等。
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