1

纳米晶硅薄膜的优化：使用甚高频PECVD沉积技术或使用射频PECVD技术但采用高氢稀释率制备纳米晶硅薄膜，并研究其相变条件，着重研究通过控制实验条件来控制薄膜的禁带宽度，为后续的能带匹配研究提供基础。非晶硅锗薄膜制备条件的优化。

2

纳米晶硅/晶体硅界面、非晶硅锗/晶体硅界面的优化设计及研究。着重在于界面能带匹配的研究，界面缺陷能级水平的控制，界面空间结构失配研究。

3

电池制备工艺的优化。包括：衬底类型的优化、前发射极的制备、后高低结的制备、透明导电膜的制备、栅线电极的制备等。

4

电池系统的优化和产业化技术路线的研究。