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我所应用超导重点实验室研究完成的“一种含碳的MgB2超导材料及其制备方法”于近期申请国际PCT发明专利并被受理。这是我所首次申请国际发明专利，标志着我所专利申请走向国际化。国家专利局查新报告表明，这项成果在国际上具有一定的新颖性和工业实用性，对我国开发拥有自主知识产权的高性能二硼化镁长线材具有重要意义。
该发明是一种具有高性能的二硼化镁(MgB2)超导线带材及其制备方法。它的原料为市售化学纯的Mg粉，B粉和纳米C粉。发明提供的超导材料组分和制备工艺可以提高MgB2超导芯的密度、改善晶粒连接性；通过掺杂纳米C可以细化MgB2晶粒、在MgB2晶格中引入缺陷，增强MgB2材料的磁通钉扎能力。经过C掺杂后，极大提高了MgB2的临界磁场电流密度和不可逆场，这为高性能低成本MgB2线带材的制备奠定了坚实基础。
二硼化镁是迄今为止临界温度最高的金属化合物超导体。由于其具有较高的转变温度、较高的上临界场、结构简单和成本低廉等优点，在超导电力、电子器件、国防以及医疗仪器（特别是核磁共振成像磁体）等方面具有广泛的应用前景。仅从应用简便、成本低廉的基于MgB2的核磁共振成像系统这一最大的应用市场角度考虑，高性能MgB2超导材料将具有重大经济和社会效益。而碳对硼的替代是提高MgB2临界电流密度的简便而有效的方法，并且碳是目前发现的唯一具有此项作用的元素。因此，所申请的该项有关纳米碳掺杂制备MgB2超导材料国际发明专利，将极大增强我国超导材料领域的国际竞争力。
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