磁共振电阻抗成像（Magnetic Resonance Electrical Impedance Tomography，MREIT）结合了磁共振成像（Magnetic Resonance Imaging，MRI）、电阻抗成像（EIT）两大医学成像技术。由于利用了成像体内部信息，MREIT很大程度上改善了EIT图像。但现在的磁共振电阻抗方法只适合于主磁场平行于水平面的MRI系统（多为超导磁共振系统）。 本文中提出了一种新的斜位电流注入磁共振电阻抗成像方法。该方法不仅适用于主磁场平行于水平面的MRI系统，而且适用于主磁场垂直于水平面的MRI系统。新方法采用16电极电压采集方式，通过四电极向成像体注入三股电流。成像体旋转一次。在对成像要求不高时，亦可以采用两股电流注入模式。 硬件系统实现了以下功能：（1）能够测量注入电流在成像体内部感应磁场的磁感应强度B(x,y,z)，本文利用中国科学院电工所自行开发研制的0.23T永磁磁共振系统来完成这一功能；（2）可以通过电极向成像体注入直流电流，其电流幅值与注入时间即脉冲宽度均可在线调节，可满足各种MREIT成像需求；（3）满足时序匹配要求：实现MRI时序与电流注入的匹配，使得施加电流既能很好的实现相位影响机理又不会影响MRI层选定位精度；（4）配有16路电压通道，可以按照算法对边界电压的要求实现表面电压采集。 设计制作了可拆卸、溶液更换方便的水模和便于更新的电极。以一定比例和浓度的NaCl、CuSO4、Agar混合凝胶体来模拟人体环境，最终得到比较好的实验效果。